2奈米GAA架構使刻蝕與薄膜沉積步驟數增幅超越EUV，NAND Flash綠地投資啟動、Intel舊製程擴產同步助攻，2027年成長預期更勝2026年

NAND Greenfield新廠重啟、2奈米GAA製程拉高蝕刻與成膜步驟乘數，ASML以外的設備業者（科林研發、科磊）受惠廣度擴大，且中國佔比已降至兩成，禁令衝擊邊際遞減。

主持人把 Lam Research 與科磊並列，視為半導體前段設備中「刻蝕與薄膜沉積」受益最直接的兩家公司。他的論點集中在兩個需求疊加：台積電 2 奈米 GAA 製程對這類設備的用量倍增，以及 NAND Flash 業者從升級舊產線轉向新建廠（Greenfield）帶來的增量訂單。這兩個驅動力在過去幾年都處於被壓抑狀態，主持人認為這正是現在開始加速釋放的原因。